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金属加热器

我们凭借专业和独特的工艺设计，基于客户需求，通过建模和仿真模拟，精准提供具有热均匀性好、高耐腐蚀性和工作温度范围宽的高性能加热器。此类产品被设计用来支撑和加热晶圆，广泛应用于等离子体和电子束环境。

腔体

腔体是半导体设备中参与晶圆制备反应工序的关键部件，为晶圆生产提供耐腐蚀、洁净和高真空环境，是提供工艺反应场景的核心容器，其密封性良好与否对系统是否满足所需条件起关键性作用。

喷淋头

喷淋头在晶片反应中起着直接作用，负责将外部反应气体均匀引入腔室，在晶片上形成一致的涂层。特殊工艺气体通过喷淋头的小孔均匀地沉积在晶片表面，确保晶片表面膜层的均匀性和一致性。随着芯片进入高工艺阶段，对设备颗粒控制的要求也越来越严格。颗粒的大小和数量已成为清洁工作的重中之重。因此，打孔精度、孔内毛刺去除及表面处理是生产喷淋头的主要技术壁垒。

静电卡盘

我们凭借成熟的设计和分析能力、高精度制造技术以及高标准的综合管理系统，为设备厂商提供高耐用度、高强度、高热导率和高抗热震性的静电卡盘。此类产品可在宽工作温度范围内的使用，广泛应用于等离子体环境。

氮化铝陶瓷激光热沉

使用高热导率氮化铝基板基于DPC工艺进行表面金属化，再结合晶圆级光刻工艺与PVD镀膜工艺进行预制金锡，使其具有高热导率与优越的热膨胀系数适配性能。作为关键的热管理器件，被广泛应用于光通信、激光加工、医疗等领域，高效散热以保证设备稳定运行。

聚焦环

聚焦环由结晶度良好的碳化硅SiC多晶组成。产品采用了自主研发的CVD沉积技术，结合负压沉积工艺与独特的表面处理技术，有效提升了产品的耐用性。

陶瓷管壳&PZT压电陶瓷致动器

红外探测器封装满足第一代和第二代制冷和非制冷红外探测器的要求。我们的产品可广泛应用于消防、汽车制造等领域。

陶瓷基板 & 陶瓷结构件

陶瓷结构件覆盖电子、医疗器械、特种灯具、特种刀具、半导体制造、光刻机、通信、大型窑炉、高温载具等领域，其中氮化硅AMB覆铜陶瓷基板已具备一定产能。

质量流量控制器（MFC）

MFC是一种自动监测、测量和控制气体流量的紧凑型设备，由比例调节阀门、质量流量计和控制器（信号放大校准、PID控制与通讯电路）相结合的装置。我们的产品不仅有独特的双阀设计，可通过对照表和压力降来对流量进行实时监测和更正，还有经典的热式、改进的压力式产品，能覆盖各行业客户的不同需求。我们的产品可以应用在晶圆制程的沉积、蚀刻、清洗、离子注入、金属布线、扩散等工艺中，同时也广泛应用于光纤、科学仪器、镀膜等行业。

质量流量控制器（MFC）

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压力控制器（PC）

先导的数字化压力控制器 (DPC) 默认配置成底座 1.125″ (28.6 mm) 宽、金属密封的压力控制器，适用于广泛的应用场景，适合于 100 ~ 350 KPa(A) 控压范围，精控范围为满量程的 2~100%。该产品目前支持上游控压模式，提供 EP 选项，表面平整度为 5μ-inch，可良好地适用于高洁净度制程。

压力控制器（PC）

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流量比例控制器（FRC）

先导元创流体的流量比例控制器使用特殊的控制阀来提高晶圆的一致性和晶圆与晶圆间的一致性。这是目前行业内响应最快的流量比例控制器，响应时间小于1秒，可应用于刻蚀等工艺。

流量比例控制器（FRC）

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压力传感器

先导高精度压力传感器，采用先进微加工硅技术 MEMS 芯、特殊的充油介质隔离、扎实的抗干扰电路设计，具不锈钢内外结构界面，配置了多种压力连接方式，并能提供多种不同的电输出信号和方式，更能快速满足客户特殊定制需求。

压力传感器

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气体过滤器

先导高纯气体过滤器，耐450℃极端工况，并为高纯气体应用提供最高1.5纳米的颗粒过滤，实现更高的工艺气体吞吐量。可应用于未来先进器件、光伏、生命科学和锂离子电池。

气体过滤器

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EPD-OES 光学发射光谱法终点检测系统

通过分析腔室中的反应物或生成物的特征光谱强度随时间的变化进行工艺终点判断。可用于显示面板、太阳能硅片 / 电池片、晶圆等泛半导体制程中的终点检测，提高产品良率，降低生产成本。

EPD-OES 光学发射光谱法终点检测系统

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微波电源

915MHz 75kW的微波电源已经通过了工艺测试,在批量生产中。先导的微波
电源能媲美MKS的微波电源。可根据客户需求,定制915MHz 30kW~100kW
的产品,2.45GHz的微波电源也在开发中。广泛应用在MPCVD、加热解冻干
燥、石英提纯、医疗度弃物处理,半导体等领域。

微波电源

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热电制冷器

高性能，高可靠性的单级及多级热电制冷器。采用自研的碲化铋基热电材料，具有高 Z 值系数及高抗屈强度的材料特点。制冷器使用半导体加工工艺制造，具有良好的尺寸一致性及内部晶粒装配精度。可定制的陶瓷材料，表面工艺，焊接材料及端子连接方式，方便满足不同领域的应用需求。

热电制冷器

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半导体水浴恒温槽

VMS - TEB - ***L 系列的半导体水浴恒温槽整机采用先进的内循环 / 外循环泵系统。内循环通过半导体制冷器和先进的 PID 控温程序保证内腔温度均匀恒定，外循环泵可以把槽内恒温液体的热量引到第二恒温场。产品采用高亮 SUS304 不锈钢结构，具备高耐蚀性，更适用洁净室使用；该系列产品具有较高的 COP，高，低功耗，高性能，控制精度高，内置液检测开关及多种报警装置，安全耐用，运行数据和报警信息可以同步上传到 PC 系统。

半导体水浴恒温槽

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MOCVD原位监测系统 VSI Link RTC - 100

MOCVD 外延生长过程中 , 需要对生长的各种参数和设备状况进行原位实时
监测和控制 , 以便有效实现外延生长，避免废品，提高重现性和设备效能。
VSI Link RTC-100 原位监测系统有非接触辐射温度计、反射率计、翘曲率计 ,它们实现的原位监测功能有：温度测量和加热控制、外延生长的薄膜厚度和生长速率测量、外延生长时的材料应力及翘曲测量。