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MBE源

对于MBE领域的应用，我们提供多种不同的高纯金属材料及其化合物，同时也提供先进的技术支持，包括半导体掺杂、热沉积，真空镀膜，MOCVD等。

我们可提供高纯度（MBE级）金属作为各种形状的MBE的外延源，并作为生长GaAs、InP、InSb、GaSb、CdTe、CdTe和CdZnTe晶体的源金属，以及掺杂和其他源材料。


铝Al

铝Al

制造半导体器件金属化层(薄膜)。
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砷As

砷As

高纯砷被广泛应用于制备化合物半导体，如砷化镓、砷化铟等，也是半导体材料锗和硅的掺杂元素，这些材料被用于制造二极管、发光二极管、红外线发射器、激光器等器件。此外，砷的化合物还用于防腐剂、染料和医药等领域。
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硼B

硼B

硼元素是半导体中常用的p型杂质元素，它能够对半导体的导电性能和晶体结构产生显著的影响，广泛应用于泛半导体行业；用作半导体材料硅的掺杂剂。
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铍Be

铍Be

应用于泛半导体行业；作为分子束外延用源材料。
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镓Ga

镓Ga

分子束外延(MBE)的镓源；制备半导体材料。制造激光二极管和太阳能电池。
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红磷P

红磷P

用于制备半导体化合物如磷化铟（lnP）、磷化镓（GaP）等及半导体衬底/外延材料掺杂试剂。
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铟In

铟In

用于分子束外延用源材料、半导体材料掺杂源、制备ITO靶材。
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锑Sb

锑Sb

用于制备高纯合金、红外材料；太阳能电池P型材料，N型硅单晶的掺杂源。
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