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晶体材料
砷化镓晶片


砷化镓(GaAs)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬。其具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性,广泛应用于光电子和微电子工业。
在光电子工业领域应用层面,砷化镓单晶可被用于制作LED(发光二极管)、LD(激光器)、光伏器件等;
在微电子工业领域应用层面,可被用于制作MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、HBT(异质结双极晶体管)、IC、微波二极管、Hall器件等。

公司可提供半导体型和半绝缘型砷化镓衬底,规格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根据客户需求制备不同用途的砷化镓衬底片,相关参数范围如下:

半导体(SC)型GaAs晶片规格




半绝缘(SI)型GaAs晶片规格


Package: Cassette or single wafer container

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